Проверка Класса Временной Задержки - Siemens SENTRON 3WL Operating Instructions Manual

6.3 Проверка класса временной задержки
Выберите фазу L1 с помощью кнопки РЕЖИМ (1).
Установите значение испытательного тока в соответствии с
формулой I = 6 * I .
p R
I = испытательный ток
p
I
= ток уставки 0,4 ...1,0 * I
R n
Начните проверку, нажав на кнопку СТАРТ/СТОП(10). При
проверке расцепителей ETU15B, ETU25B или ETU27B
измеренное время срабатывания может быть от 8 до 10 секунд.
Для всех остальных расцепителей измеренное время
срабатывания может быть одинаковым
задержки, которое задается на расцепителе t
I 2
(уставка t) или t +0 / -40% (уставка I
R
После проверки цепи L1 повторите аналогичную проверку для
цепей L2, L3 и при необходимости для N. В случае
0.5 * I убедитесь, что испытательный ток равен 0.5* I/I
n
6.4 Проверка тепловой памяти
Данная проверка используется, когда включена тепловая память
(ПАМЯТЬ) электронного расцепителя.
Проверка тепловой памяти может быть выполнена в любой
фазе.
- Отключите внешний источник питания (15).
- Выберите фазу с помощью кнопки РЕЖИМ (1).
- Установите значение испытательного тока, как описано в п.
5.3 Установка значений испытательных токов L1, L2, L3 и N.
- Активируйте возможность проверки нажатием кнопки
ПРОВЕРКА РАЗРЕШЕНА (9).
- Начните проверку, нажав на кнопку
- После успешного расцепления незамедлительно снова
запустите процедуру проверки (кнопка (9), кнопка (10)).
Время срабатывания при втором расцеплении должно быть как
минимум на 5% меньше, чем в первом случае срабатывания
защиты. Если память выключена, при каждой проверке будет
отображаться полное время срабатывания:
t
= t * [6 / (I/I )] 2 для характеристической кривой I
a max R R
t = t * [6 / (I/I )] 4 для характеристической кривой I
a max R R
, поскольку время
+0 / -20%,
R
4
t).
уставки I
=
N
.
n
СТАРТ/СТОП(10).
2 t
4 t
6.3. Testing the Time Lag Class
Select phase L1 by means of the MODE pushbutton (1).
Set the test current according to I
I = test current
p
I
= setting current 0.4 ...1.0 * I
R
Start testing by pressing the START/STOP pushbutton (10). When
testing ETU15B, ETU25B or ETU27B releases, the measured
tripping time must be between 8 and 10 seconds.
For all other releases, the measured tripping time must be the
same
as the time lag class t
R
(setting I t) or t +0 / -40% (setting I
R
2
After testing in conducting path L1, repeat the test in conducting
paths L2, L3 and, if required, conducting path N. In the case of the
setting I
= 0.5 * I , ensure that the test current is 0.5* I/I
N n
6.4. Testing the Thermal Memory
This test is used when the thermal memory (MEMORY) of the ETU is
switched on.
Thermal memory testing can be carried out in any phase.
- Deactivate the external power supply (15).
- Select the phase by means of the MODE pushbutton (1).
- Set the test current as described in 5.3 Setting the Test Currents
L1, L2, L3 and N.
- Enable testing by pressing the TEST ENABLED pushbutton (9).
- Start testing by pressing the START/STOP
- After successful tripping, start the test procedure again
immediately (pushbutton (9), pushbutton (10)).
The tripping time of the second tripping event should be at least 5%
shorter than that of the first tripping event. If the memory is switched
off, all tests will result in the entire tripping time:
t
= t * [6 / (I/I )] for the I
a max R R 2
t = t * [6 / (I/I )] for the I
a max R R
4
= 6 * I .
p R
n
+0 / -20 % that is set on the release
t).
4
.
n
pushbutton (10).
t characteristic curve
2
t characteristic curve
4
6-2